کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5358947 | 1503675 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thickness dependence of optoelectronic properties in ALD grown ZnO thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Thickness dependence of optoelectronic properties in ALD grown ZnO thin films Thickness dependence of optoelectronic properties in ALD grown ZnO thin films](/preview/png/5358947.png)
چکیده انگلیسی
ZnO thin films with high conductivity and high transparency were grown on Si (1Â 0Â 0) substrates by atomic layer deposition. Thickness dependent (43-225Â nm) changes in crystallographic, optical and electrical properties are reported and discussed. Increase in film thickness caused a decrease in the bandgap by relaxation of stress in the plane of the film and led to an improvement in crystallinity and conductivity. The optical studies showed a noticeable change towards the contribution of excitonic and phonon replica to the UV-emission band.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 289, 15 January 2014, Pages 27-32
Journal: Applied Surface Science - Volume 289, 15 January 2014, Pages 27-32
نویسندگان
Trilok Singh, Thomas Lehnen, Tessa Leuning, Diptiranjan Sahu, Sanjay Mathur,