کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5359286 | 1388245 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Non-hysteretic metal-insulator transition of VO2 films grown by excimer-laser-assisted metal organic deposition process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We examined the correlation between thickness of an epitaxial VO2 phase grown on a TiO2 (0 0 1) substrate by the excimer-laser-assisted metal organic deposition (ELAMOD) process and the metal-insulator transition (MIT) property of it. The abrupt and hysteretic MIT was observed for the epitaxial films (thickness: t â¥Â 6 nm), and the epitaxial film (t â¤Â 4 nm) showed semiconductor behavior. When an amorphous VOx layer was prepared on the ultrathin epitaxial phase (t â¤Â 4 nm) by the ELAMOD, a non-hysteretic MIT was successfully observed. The non-hysteretic MIT was found to be owing to roughened interface between the epitaxial phase and the amorphous phase, where there would be a number of structural defects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 7, 15 January 2011, Pages 2643-2646
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 7, 15 January 2011, Pages 2643-2646
نویسندگان
Masami Nishikawa, Tomohiko Nakajima, Toshiya Kumagai, Takeshi Okutani, Tetsuo Tsuchiya,