کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5359804 | 1503705 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sn-CeO2 thin films prepared by rf magnetron sputtering: XPS and SIMS study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Sn addition in the CeO2 thin film by simultaneous Sn metal and cerium oxide magnetron sputtering causes growth of Ce3+ rich films whilst pure cerium oxide sputtering provides stoichiometric CeO2 layers. Ce4+ â Ce3+ conversion is explained by a charge transfer from Sn atoms to unoccupied orbital Ce 4f0 of cerium oxide by forming Ce 4f1 state. XPS and SIMS revealed a formation of a new chemical Ce(Sn)+ state, which belongs to SnCeO2 species.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issues 13â14, 15 April 2009, Pages 6656-6660
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issues 13â14, 15 April 2009, Pages 6656-6660
نویسندگان
Karel MaÅ¡ek, Michal Václavů, Petr Bábor, VladimÃr MatolÃn,