کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5360223 | 1388258 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation and structural properties of YBCO films grown on GaN/c-sapphire hexagonal substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Preparation and structural properties of YBCO films grown on GaN/c-sapphire hexagonal substrate Preparation and structural properties of YBCO films grown on GaN/c-sapphire hexagonal substrate](/preview/png/5360223.png)
چکیده انگلیسی
Epitaxial YBCO thin films have been grown on hexagonal GaN/c-sapphire substrates using DC magnetron sputtering and pulsed laser deposition. An MgO buffer layer has been inserted between the substrate and the YBCO film as a diffusion barrier. X-ray diffraction analysis indicates a c-axis oriented growth of the YBCO films. Φ-scan shows surprisingly twelve maxima. Transmission electron microscopy analyses confirm an epitaxial growth of the YBCO blocks with a superposition of three a-b YBCO planes rotated by 120° to each other. Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy reveal no surface contamination with Ga even if a maximum substrate temperature of 700 °C is applied.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 18, 1 July 2010, Pages 5618-5622
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 18, 1 July 2010, Pages 5618-5622
نویسندگان
Å . Chromik, P. Gierlowski, M. Å panková, E. DobroÄka, I. Vávra, V. Å trbÃk, T. Lalinský, M. Sojková, J. Liday, P. VogrinÄiÄ, J.P. Espinos,