کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5360277 | 1503688 | 2013 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-assembled Ge islands and nanocrystals by RF magnetron sputtering and rapid thermal processing: The role of annealing temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Ge nanostructures synthesized by RTP of sputtered Ge on Si (1 0 0) at 400 to 800 °C for 15 s. ⺠As the annealing time increased, the Ge islands' size became more uniform and dense. ⺠Increases in annealing time improved the crystallinity of the Ge nanocrystals. ⺠Annealing temperature influenced the nanocrystals formation and enhances photo currents of MSM photodetector.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 275, 15 June 2013, Pages 193-200
Journal: Applied Surface Science - Volume 275, 15 June 2013, Pages 193-200
نویسندگان
A.F. Abd Rahim, M.R. Hashim, N.K. Ali, M. Rusop, M.D. Johan Ooi, M.Z.M. Yusoff,