کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5360768 | 1388265 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The high quality ZnO growth on c-Al2O3 substrate with Cr2O3 buffer layer using plasma-assisted molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: The high quality ZnO growth on c-Al2O3 substrate with Cr2O3 buffer layer using plasma-assisted molecular beam epitaxy The high quality ZnO growth on c-Al2O3 substrate with Cr2O3 buffer layer using plasma-assisted molecular beam epitaxy](/preview/png/5360768.png)
چکیده انگلیسی
High quality epitaxial ZnO films were grown on c-Al2O3 substrates with Cr2O3 buffer layer by plasma-assisted molecular beam epitaxy (P-MBE). The hexagonal crystalline Cr2O3 layer was formed by oxidation of the Cr-metal layer deposited on the c-Al2O3 substrate using oxygen plasma. The epitaxial relationship was determined to be [11¯00]ZnO//[112¯0]Cr2O3//[11¯0]Cr//[112¯0]Al2O3 and [112¯0]ZnO//[11¯00]Cr2O3//[0 0 1]Cr//[11¯00]Al2O3. The Cr2O3 buffer layer was very effective in improving the surface morphology and crystal quality of the ZnO films. The photoluminescence spectrum showed the strong near band-edge emissions with the weak deep-level emission, which implies high optical quality of the ZnO films grown on the Cr2O3 buffer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 23, 30 September 2008, Pages 7786-7789
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 23, 30 September 2008, Pages 7786-7789
نویسندگان
J.S. Park, S.K. Hong, T. Minegishi, I.H. Im, S.H. Park, T. Hanada, J.H. Chang, M.W. Cho, T. Yao,