کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5361656 | 1388275 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Partial crystallization of silicon by high intensity laser irradiation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Partial crystallization of silicon by high intensity laser irradiation Partial crystallization of silicon by high intensity laser irradiation](/preview/png/5361656.png)
چکیده انگلیسی
Three-dimensional thermal diffusion equation for the piled particles on the substrate was solved by using the finite difference methods. The results of our heat-flow simulation of the piled particles almost agree with the experimental results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issue 24, 30 September 2009, Pages 9783-9786
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issue 24, 30 September 2009, Pages 9783-9786
نویسندگان
Hirozumi Azuma, Akito Sagisaka, Hiroyuki Daido, Isao Ito, Hiroaki Kadoura, Nobuo Kamiya, Tadashi Ito, Akihiko Nishimura, Jinglong Ma, Michiaki Mori, Satoshi Orimo, Koichi Ogura,