کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5361707 1388276 2012 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Plasma process for development of a bulk heterojunction optoelectronic device: A highly sensitive UV detector
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Plasma process for development of a bulk heterojunction optoelectronic device: A highly sensitive UV detector
چکیده انگلیسی
► Polyaniline/TiO2 (PAni/TiO2) film has been deposited by a combined process of magnetron sputtering and plasma polymerization. ► An organic/inorganic nanocomposite film based photovoltaic device is developed. ► The device has an aluminum/composite/indium tin oxide sandwiched structure. ► The device shows strong photo-response in ultraviolet region, so it has potential for application as an UV detector.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 20, 1 August 2012, Pages 7897-7906
نویسندگان
, , , , , , ,