کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5361750 1388276 2012 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of the surface state of epi-ready Ge wafers
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Analysis of the surface state of epi-ready Ge wafers
چکیده انگلیسی
► Ge epi-ready wafers from two different vendors studied using X-ray spectroscopy. ► Oxide layer on all the Ge wafer surfaces formed by GeO and GeO2; layer thickness depending on wafer vendor. ► Probable presence of chlorine at the wafer surfaces. ► Wafer surfaces from one of the vendors contaminated by carbonates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 20, 1 August 2012, Pages 8166-8170
نویسندگان
, , , , , , , ,