کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5361750 | 1388276 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of the surface state of epi-ready Ge wafers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Ge epi-ready wafers from two different vendors studied using X-ray spectroscopy. ⺠Oxide layer on all the Ge wafer surfaces formed by GeO and GeO2; layer thickness depending on wafer vendor. ⺠Probable presence of chlorine at the wafer surfaces. ⺠Wafer surfaces from one of the vendors contaminated by carbonates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 20, 1 August 2012, Pages 8166-8170
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 20, 1 August 2012, Pages 8166-8170
نویسندگان
M. Gabás, S. Palanco, S. Bijani, E. Barrigón, C. Algora, I. Rey-Stolle, I. GarcÃa, J.R. Ramos-Barrado,