کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5361957 | 1388279 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First-principles calculations of ethanethiol adsorption and decomposition on GaN (0 0 0 1) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The adsorption and decomposition of ethanethiol on GaN (0Â 0Â 0Â 1) surface have been investigated with first-principles calculations. The DFT calculations reveal that ethanethiol adsorbs dissociatively on the clean GaN (0Â 0Â 0Â 1) surface to form ethanethiolate and hydrogen species. An up limit coverage of 0.33 for ethanethiolate monolayer on GaN (0Â 0Â 0Â 1) surface is obtained and the position of the sulfur atom and the tilt angle of the thiolate chain are found to be very sensitive to the surface coverage. Furthermore, the reactivity of ethanethiol adsorption and further thermal decomposition reactions on GaN (0Â 0Â 0Â 1) surface is discussed by calculating the possible reaction pathways and ethene is found to be the major product.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 20, 15 August 2008, Pages 6514-6520
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 20, 15 August 2008, Pages 6514-6520
نویسندگان
Chun-Li Hu, Yong Chen, Jun-Qian Li, Yong-Fan Zhang,