کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5363029 | 1388296 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Inter-diffusion of cobalt and silicon through an ultra thin aluminum oxide layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Optical emission spectroscopy of sputtered species during ion bombardment, Auger electron spectroscopy and high-resolution transmission electron microscopy were used to study the cobalt and silicon diffusion through the interfaces of Co/AlO/Si(0 0 1) hetero-structure. The results are discussed as a function of the annealing temperature of sample and show that the diffusion process at the interfaces starts for annealing temperatures above 200 °C without detectable modification of the oxide layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 9, 15 February 2010, Pages 2731-2734
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 9, 15 February 2010, Pages 2731-2734
نویسندگان
T. El Asri, M. Raissi, S. Vizzini, A. El Maachi, E.L. Ameziane, F. Arnaud d'Avitaya, J.-L. Lazzari, C. Coudreau, H. Oughaddou, B. Aufray, A. Kaddouri,