کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5363138 | 1503692 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Antireflective nanostructures fabricated by reactive ion etching method on pyramid-structured silicon surface
ترجمه فارسی عنوان
نانوساختار ضد انفجار ساخته شده با روش اچینگ واکنشی با استفاده از سیلیکون ساختار هرم ساخته شده است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
⺠A low reflectance of 4.72% was obtained by etching the pyramid-structured silicon wafers in a RIE system. ⺠The whole etching process was at room temperature and without any negative voltage pulses. ⺠Samples etched with FO2 lower than 6 sccm can't get low reflective silicon structure. ⺠Too big etching power of 225 W would make the nanostructures too sparse to obtain a low reflectance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 271, 15 April 2013, Pages 402-406
Journal: Applied Surface Science - Volume 271, 15 April 2013, Pages 402-406
نویسندگان
Zhihao Yue, Honglie Shen, Ye Jiang,