کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364080 | 1388311 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ru/WCoCN as a seedless Cu barrier system for advanced Cu metallization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Ru/WCoCN as a seedless Cu barrier system for advanced Cu metallization Ru/WCoCN as a seedless Cu barrier system for advanced Cu metallization](/preview/png/5364080.png)
چکیده انگلیسی
The properties of Ru(5 nm)/WCoCN(5 nm) stacked layers as a seedless Cu barrier system has been investigated. Its barrier properties compared to single 10 nm Ru film were investigated by sheet resistances, X-ray diffraction patterns, transmission electron microscopy, energy dispersive spectrometry spot analysis, line scans, and leakage currents. Thermal stability of the Ru(5 nm)/WCoCN(5 nm) improved by over 100 °C than that of Ru(10 nm) barrier. The results show that Ru(5 nm)/WCoCN(5 nm) can effectively block Cu diffusion up to 600 °C for 30 min. The Ru(5 nm)/WCoCN(5 nm) bilayer is a great Cu barrier candidate for seedless Cu interconnects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 3, 15 November 2009, Pages 688-692
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 3, 15 November 2009, Pages 688-692
نویسندگان
Dung-Ching Perng, Jia-Bin Yeh, Kuo-Chung Hsu,