کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364665 | 1388318 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
XPS study of the formation of ultrathin GaN film on GaAs(1 0 0)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The nitridation of GaAs(1Â 0Â 0) surfaces has been studied using XPS spectroscopy, one of the best surface sensitive techniques. A glow discharge cell was used to produce a continuous plasma with a majority of N atomic species. We used the Ga3d and As3d core levels to monitor the chemical state of the surface and the coverage of the species. A theoretical model based on stacked layers allows to determine the optimal temperature of nitridation. Moreover, this model permits the determination of the thickness of the GaN layer. Varying time of nitridation from 10Â min to 1Â h, it is possible to obtain GaN layers with a thickness between 0.5Â nm and 3Â nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 13, 30 April 2008, Pages 4150-4153
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 13, 30 April 2008, Pages 4150-4153
نویسندگان
L. Bideux, G. Monier, V. Matolin, C. Robert-Goumet, B. Gruzza,