کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364668 | 1388318 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication, morphology, and photoluminescence properties of GaN nanowires and nanorods by ammoniating Ga2O3/V films on Si(1 1 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
GaN nanowires and nanorods have been successfully synthesized on Si(1 1 1) substrates by magnetron sputtering through ammoniating Ga2O3/V films at 900 °C in a quartz tube. X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and photoluminescence (PL) spectrum were carried out to characterize the structure, morphology, and photoluminescence properties of GaN sample. The results show that the GaN nanowires and nanorods with pure hexagonal wurtzite structure have good emission properties. The growth direction of nanostructures is perpendicular to the fringes of (1 0 1) plane. The growth mechanism is also briefly discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 13, 30 April 2008, Pages 4166-4170
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 13, 30 April 2008, Pages 4166-4170
نویسندگان
Zhaozhu Yang, Chengshan Xue, Huizhao Zhuang, Lixia Qin, Jinhua Chen, Hong Li, Dongdong Zhang,