کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364778 | 1388320 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reflectivity of porous-pyramids structured silicon surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The antireflection of porous-pyramids structured silicon surface has been studied. The porous surface is formed by stain etching in HF/Fe(NO3)3 aqueous solution after textured in KOH/IPA solution. Reflectivity measurements show an overall reflectance of 4.2% for porous-pyramids textured silicon surface in the range from 400 to 900Â nm. An optimal etching time of 30Â min is obtained when both reflectivity and photo-generated carriers lifetime are considered. This technique may be probably used in the texturization process for high-efficiency silicon solar cells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 2, 1 November 2010, Pages 472-475
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 2, 1 November 2010, Pages 472-475
نویسندگان
Junfeng Xiao, Lei Wang, Xiaoqiang Li, Xiaodong Pi, Deren Yang,