کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364906 | 1388322 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO2/SiO2/4H-SiC and HfO2/Al2O3/4H-SiC structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We applied contactless surface photovoltage to assess oxide/SiC interface quality. ⺠5 nm-thick SiO2 film seems to be better interlayer between SiC and HfO2 than Al2O3. ⺠Element distribution in the oxide/SiC interface was obtained from AES profiling. ⺠SiO2 buffer and transition silicate nanofilms were found from AES spectra analysis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 21, 15 August 2012, Pages 8354-8359
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 21, 15 August 2012, Pages 8354-8359
نویسندگان
A. Domanowska, M. Miczek, R. Ucka, M. Matys, B. Adamowicz, J. Å»ywicki, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. GieraÅtowska, M. Sochacki,