کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364958 | 1388323 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrostatic pressure effects on impurity states in InAs/GaAs quantum dot
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Within the framework of effective-mass approximation, the hydrostatic pressure effects on the donor binding energy of a hydrogenic impurity in InAs/GaAs self-assembled quantum dot(QD) are investigated by means of a variational method. Numerical results show that the donor binding energy increases when the hydrostatic pressure increases for any impurity position and QD size. Moreover, the hydrostatic pressure has a remarkable influence on the donor binding energy for small QD. Realistic cases, including the impurity in the QD and the surrounding barrier, are considered.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 11, 30 March 2008, Pages 3479-3483
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 11, 30 March 2008, Pages 3479-3483
نویسندگان
Congxin Xia, Yaming Liu, Shuyi Wei,