کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364967 | 1388323 | 2008 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Synthesis of n-type boron phosphide films and formation of Schottky diode: Al/n-BP/Sb
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Synthesis of n-type boron phosphide films and formation of Schottky diode: Al/n-BP/Sb Synthesis of n-type boron phosphide films and formation of Schottky diode: Al/n-BP/Sb](/preview/png/5364967.png)
چکیده انگلیسی
Phosphorous rich BP in thin film form was deposited onto fused silica substrates by co-evaporating boron (99.99%) and phosphorous (99.995%) from a tantalum boat and indirectly heated alumina crucible, respectively. Schottky diode structures for n-type BP (Al/n-BP/Sb) were fabricated out of these films. Corresponding current-voltage and capacitance-voltage characteristics of the Schottky diodes were recorded and analyzed in the light of the existing theories.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 11, 30 March 2008, Pages 3540-3547
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 11, 30 March 2008, Pages 3540-3547
نویسندگان
S. Dalui, A.K. Pal,