کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366050 | 1388342 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effects of thermal annealing in self-assembled Ge/Si quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effects of thermal annealing in Si base self-assembled Ge dots have been investigated by Raman spectra and PL spectra. An obvious Raman frequency shift under different annealing temperature can be observed. There are two main effects during the annealing procession: one is the inter-diffusion of the Si and Ge quantum dots; the other is the relaxation of the elastic strain. With the calculated results, PL blue shift can be related to strain relaxation effects, and/or a general decrease of Ge content due to the Ge-Si intermixing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 10, 15 March 2007, Pages 4792-4795
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 10, 15 March 2007, Pages 4792-4795
نویسندگان
QiJia Cai, Hao Zhou, Fang Lu,