کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366301 | 1388347 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of precipitates in heavily boron doped 4H-SiC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Secondary ion mass spectrometry (SIMS) and transmission electron microscopy (TEM) are utilized to study precipitation and the solubility of B in 4H-SiC epitaxial layers super saturated with B. Heat treatments are performed in Ar atmosphere in an rf-heated furnace at temperatures between 1700 and 2000 °C. SIMS ion images, and TEM micrographs reveal the formation of two types of precipitates where the larger, more thermally stable one is suggested to be B4C. The boron solubility is determined from SIMS depth profiles and is shown to follow the Arrhenius expression: 7.1 Ã 1022 exp(â1.4 eV/kBT) cmâ3 over the studied temperature range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 15, 30 May 2006, Pages 5316-5320
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 15, 30 May 2006, Pages 5316-5320
نویسندگان
M.K. Linnarsson, M.S. Janson, N. Nordell, J. Wong-Leung, A. Schöner,