کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366668 | 1388352 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature-dependent carbon incorporation into the Si1âyCy film during gas-source molecular beam epitaxy using monomethylsilane
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Coverage and adsorption state of hydrogen atoms on the growing surface of Si1âyCy film using monomethylsilane has been investigated by using temperature-programmed desorption (TPD) and multiple-internal-reflection Fourier-transform infrared spectroscopy (MIR-FT-IR). The surface hydrogen coverage decreases with the growth temperature Tg until it disappears at 800 °C. All the H2-TPD spectra are well resolved into six SiH-related and one CHn-related hydrogen desorption peaks. The SiH-related FT-IR peak showed a blue shift with increasing Tg, which, in conjunction with the TPD, is related to enhanced C incorporation at backbonds of SiH.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 10, 15 March 2006, Pages 3692-3696
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 10, 15 March 2006, Pages 3692-3696
نویسندگان
A. Konno, K. Senthil, T. Murata, M. Suemitsu,