کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366707 | 1388353 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Charge transient spectroscopy measurements of GaAs metal-insulator-semiconductor structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The Au/Pd/Ti-SiO2-(n)GaAs structures with and without (NH4)2Sx treated gallium arsenide surface, previously analysed by impedance spectroscopy (IS) method, have been investigated using charge transient spectroscopy (QTS) technique. The isothermal QTS spectra of MIS structures kept at room temperature under set of quiescent biases have been recorded in response to both negative and positive pulses of fixed small amplitudes. Two types of charge relaxation characterized by time constant values have been evidenced. The attempt to compare QTS results with ones obtained by impedance spectroscopy method has been presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 21, 31 August 2006, Pages 7631-7635
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 21, 31 August 2006, Pages 7631-7635
نویسندگان
S. Kochowski, M. SzydÅowski, I. Thurzo, D.R.T. Zahn,