کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5367224 | 1388363 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Combinatorial ion beam synthesis of CdSxSe1âx nanocrystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this presentation we focus on the synthesis of buried multielemental semiconductor nanoparticles by sequential high dose ion implantation and post-implantation annealing. Nanocluster formation and alloying was studied by Raman-, Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS) and X-ray diffraction analysis (XRD) on a materials library of CdSxSe1âx nanoclusters buried in thermally grown SiO2 on silicon. Characteristic peak shifts of the LO-Raman signal and XRD-peaks due to varying S- and Se-fraction indicate that the ion beam synthesized clusters consist of a solid solution of Cd, S and Se. In addition the influence of the implanted dose ratios on the structural evolution of the nanocluster-SiO2 system will be discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 7, 31 January 2006, Pages 2497-2502
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 7, 31 January 2006, Pages 2497-2502
نویسندگان
P. Huber, H. Karl, B. Stritzker,