کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5367307 | 1388364 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dry etching characteristics of GaN for blue/green light-emitting diode fabrication
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The etch rates, surface morphology and sidewall profiles of features formed in GaN/InGaN/AlGaN multiple quantum well light-emitting diodes by Cl2-based dry etching are reported. The chlorine provides an enhancement in etch rate of over a factor of 40 relative to the physical etching provided by Ar and the etching is reactant-limited until chlorine gas flow rates of at least 50 standard cubic centimeters per minute. Mesa sidewall profile angle control is possible using a combination of Cl2/Ar plasma chemistry and SiO2 mask. N-face GaN is found to etch faster than Ga-face surfaces under the same conditions. Patterning of the sapphire substrate for improved light extraction is also possible using the same plasma chemistry.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issue 11, 15 March 2009, Pages 5948-5951
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issue 11, 15 March 2009, Pages 5948-5951
نویسندگان
K.H. Baik, S.J. Pearton,