کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5367391 | 1388365 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of Ga source and substrate position on the growth of low dimensional GaN wires by chemical vapour deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Synthesis of GaN low dimensional materials (micro- and nanowires) via Ni catalyzed chemical vapour deposition under different conditions. ⺠To investigate the influence of Ga source and substrate position on the physical properties of GaN. ⺠Based on the morphological characteristics of the samples obtained from the FE-SEM images, growth mechanisms are proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 23, 15 September 2011, Pages 10052-10055
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 23, 15 September 2011, Pages 10052-10055
نویسندگان
L.L. Low, F.K. Yam, K.P. Beh, Z. Hassan,