کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5367391 1388365 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of Ga source and substrate position on the growth of low dimensional GaN wires by chemical vapour deposition
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The influence of Ga source and substrate position on the growth of low dimensional GaN wires by chemical vapour deposition
چکیده انگلیسی
► Synthesis of GaN low dimensional materials (micro- and nanowires) via Ni catalyzed chemical vapour deposition under different conditions. ► To investigate the influence of Ga source and substrate position on the physical properties of GaN. ► Based on the morphological characteristics of the samples obtained from the FE-SEM images, growth mechanisms are proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 23, 15 September 2011, Pages 10052-10055
نویسندگان
, , , ,