کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5367757 | 1388372 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strained-Si with carbon incorporation for MOSFET source/drain engineering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Strained-Si with carbon incorporation for MOSFET source/drain engineering Strained-Si with carbon incorporation for MOSFET source/drain engineering](/preview/png/5367757.png)
چکیده انگلیسی
The carbon incorporation in strained-Si source/drain of MOSFET is demonstrated. The methylsilane (CH3SiH3) is chosen as the carbon precursor to make high percentage of substitutional carbon, and less defects by interstitials and vacancies. The large Dit at oxide/strained-Si:C interface degrades the expected carrier mobility enhancement, but improvement is observed after forming gas annealing. The strained-Si source/drain with carbon incorporation is not only being stressor but also lower Rs, and make a potential candidate for future high-speed ballistic devices beyond 10Â nm technology node.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 19, 30 July 2008, Pages 6147-6150
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 19, 30 July 2008, Pages 6147-6150
نویسندگان
M.H. Lee, S.T. Chang, S.W. Lee, P.S. Chen, K.-W. Shen, W.-C. Wang,