کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5367793 | 1388372 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Clarification of band structure at metal-diamond contact using device simulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The mechanism of low-threshold electron emission from heavily nitrogen-doped diamond was clarified using computer simulation. Possibility of internal field emission at metal-diamond contact was evaluated expecting that the electron injection can explain the low-threshold electron emission. As a result, it was proved that electron injection could be achieved even for a deep donor of 1.7Â eV, when donor concentration exceeded 1e20Â cmâ3. The result was in good agreement with previous experiments.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 19, 30 July 2008, Pages 6285-6288
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 19, 30 July 2008, Pages 6285-6288
نویسندگان
Tomoaki Masuzawa, Yoshifumi Shiraki, Yuki Kudo, Ichitaro Saito, Hisato Yamaguchi, Takatoshi Yamada, Ken Okano,