کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5368831 | 1388410 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sputtering yields of PMMA films bombarded by keV C60+ ions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A quartz crystal microbalance (QCM) has been used to determine total-mass sputtering yields of PMMA films by 1-16Â keV C60+,2+ ion beams. Quantitative sputtering yields for PMMA are presented as mass loss per incident ion Ym. Mass-lost rate QCM data show that a 13Â keV C60 cluster leads to emission equivalent to 800Â PMMA molecules per ion. The power law obtained for the increase in sputtering yield with primary ion energy is in good agreement those predicted by “thermal spike” regime and MD models, when crater sizes are used to estimate sputtering.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 19, 30 July 2006, Pages 6533-6536
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 19, 30 July 2006, Pages 6533-6536
نویسندگان
I.L. Bolotin, S.H. Tetzler, L. Hanley,