کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5369970 | 1388465 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Chemical characterization of gallium droplets grown by LP-MOCVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This study is concerned with the chemical characterization of metallic gallium droplets, obtained on silicon (1Â 0Â 0) substrates with a single growth step, by the LP-MOCVD technique with TMGa like precursor. These structures are characterized by SIMS, XPS and TEM. The analyses results lead to a structure proposition for the droplets. The core is composed of metastable metallic gallium with a non-negligible carbon quantity probably coming from incomplete precursor decomposition. The outer part, composed of gallium oxide maintains the structure stability. Covering of the substrate by a thin gallium layer of gallium compounds is observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 5, 30 December 2006, Pages 2820-2824
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 5, 30 December 2006, Pages 2820-2824
نویسندگان
L. Imhoff, O. Heintz, V. Gauthier, C. Marco de Lucas, S. Bourgeois,