کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5369992 | 1388465 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Processing parameters and transport properties of vacuum evaporated CdSe thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Semiconducting thin films of cadmium selenide have been grown by conventional thermal evaporation technique on glass substrate. Films evaporated at substrate temperature equal 523Â K are stoichiometric and homogeneous. Effect of various growth parameters like rate of deposition and substrate temperature on the electrical properties has been studied in details. Also, the annealed at 673Â K under vacuum for 1Â h films have been analyzed for resistivity and Hall effect.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 5, 30 December 2006, Pages 2969-2972
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 5, 30 December 2006, Pages 2969-2972
نویسندگان
S.A. Mahmoud, A. Ashour, E.A. Badawi,