کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5374213 | 1504253 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of defects on the pressure-induced transitional electronic transport in TbTe3 and ZrTe3
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Use quantum chemistry to capture the transition of Tritelluride-materials. ⺠Activation energy and volume are crucial to the critical temperature. ⺠Pressure effect of Tritelluride-materials can be found via our approach.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics - Volume 409, 10 December 2012, Pages 37-40
Journal: Chemical Physics - Volume 409, 10 December 2012, Pages 37-40
نویسندگان
Chu W. Kwang-Hua,