کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5374213 1504253 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of defects on the pressure-induced transitional electronic transport in TbTe3 and ZrTe3
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Effect of defects on the pressure-induced transitional electronic transport in TbTe3 and ZrTe3
چکیده انگلیسی
► Use quantum chemistry to capture the transition of Tritelluride-materials. ► Activation energy and volume are crucial to the critical temperature. ► Pressure effect of Tritelluride-materials can be found via our approach.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics - Volume 409, 10 December 2012, Pages 37-40
نویسندگان
,