کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5377032 | 1389377 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The structures, stability, and photoelectron spectroscopy of GaPXâ (XÂ =Â C, Si, Ge; O, S; P and Ga) clusters
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The equilibrium geometries and vibrational frequencies of GaPXâ and GaPX (X = C, Si, Ge; O, S; P and Ga) have been studied by hybrid B3LYP functional at cc-PVTZ and aug-cc-PVTZ levels. The results predict that the most stable structure of GaPCâ is linear while the others are trigonal. As for GaPX (X = C, Si, Ge; O, S; P and Ga), the ground structures of GaPC and GaPO are linear while the others are trigonal. The adiabatic electron affinities (AEAs) and vertical detachment energies (VDEs) of GaPXâ are calculated at B3LYP/aug-cc-PVTZ level. And the order of the AEAs and VDEs of GaPXâ are C < O < Ge â Si < P < S < Ga and C < Ge â Si < P < O < S < Ga, respectively. GaPC exhibits the lowest adiabatic electron affinities of all the clusters studied, indicating a particularly stable neutral species.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics - Volume 327, Issue 1, 21 August 2006, Pages 144-150
Journal: Chemical Physics - Volume 327, Issue 1, 21 August 2006, Pages 144-150
نویسندگان
Congjie Zhang, Wenhong Jia,