کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5378974 1504853 2016 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Extended line defects in BN, GaN, and AlN semiconductor materials: Graphene-like structures
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Extended line defects in BN, GaN, and AlN semiconductor materials: Graphene-like structures
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 652, 16 May 2016, Pages 73-78
نویسندگان
, ,