کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541215 | 1450478 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical models for channel potential, threshold voltage, and subthreshold swing of junctionless triple-gate FinFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Analytical models for channel potential, threshold voltage, and subthreshold swing of the short-channel fin-shaped field-effect transistor (FinFET) are obtained. The analytical model results are verified against simulations and good agreements are observed. Analytical expressions for subthreshold swing, drain induced barrier lowering effect, and threshold voltage roll-off characteristics are presented. The explicit expressions for threshold voltage and subthreshold swing make the model useful in the practical applications of the device.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 50, April 2016, Pages 60–65
Journal: Microelectronics Journal - Volume 50, April 2016, Pages 60–65
نویسندگان
Guangxi Hu, Shuyan Hu, Jianhua Feng, Ran Liu, Lingli Wang, Lirong Zheng,