کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541589 | 871474 | 2014 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation of system backend dielectric reliability
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Simulation of system backend dielectric reliability Simulation of system backend dielectric reliability](/preview/png/541589.png)
چکیده انگلیسی
Backend dielectric breakdown degrades the reliability of circuits. A methodology to estimate chip lifetime due to backend dielectric breakdown is presented. It incorporates failures due to parallel tracks, the width effect, field enhancement due to line ends, and variation in activity and temperature. Different workloads are considered as well, in order to evaluate aging effects in microprocessors running real-world applications with realistic use conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 45, Issue 10, October 2014, Pages 1327–1334
Journal: Microelectronics Journal - Volume 45, Issue 10, October 2014, Pages 1327–1334
نویسندگان
Chang-Chih Chen, Muhammad Bashir, Linda Milor, Dae Hyun Kim, Sung Kyu Lim,