کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541591 | 871474 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strategies to enhance the 3T1D-DRAM cell variability robustness beyond 22 nm
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
3T1D cell has been stated as a valid alternative to be implemented on L1 memory cache to substitute 6T, highly affected by device variability as technology dimensions are reduced. In this work, we have shown that 22 nm 3T1D memory cells present significant tolerance to high levels of device parameter fluctuation. Moreover, we have observed that when variability is considered the write access transistor becomes a significant detrimental element on the 3T1D cell performance. Furthermore, resizing and temperature control have been presented as some valid strategies in order to mitigate the 3T1D cell variability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 45, Issue 10, October 2014, Pages 1342–1347
Journal: Microelectronics Journal - Volume 45, Issue 10, October 2014, Pages 1342–1347
نویسندگان
E. Amat, C.G. Almudéver, N. Aymerich, R. Canal, A. Rubio,