کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541801 | 871495 | 2013 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design of micropower class AB transconductors: A systematic approach
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A systematic design approach to achieve micropower class AB CMOS transconductors is presented. It includes techniques to get rail-to-rail operation and continuous transconductance tuning, based on floating and Quasi-Floating Gate transistors. Application of the proposed design approach leads to a new family of high-performance power-efficient class AB CMOS transconductors. To illustrate the feasibility of this approach, 12 transconductors derived from this common framework have been designed and fabricated in a 0.5 μm CMOS technology. Measurement results show THD values for 2 V inputs of −56 dB for a static power of 300 μW and silicon area <0.07 mm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 44, Issue 10, October 2013, Pages 920–929
Journal: Microelectronics Journal - Volume 44, Issue 10, October 2013, Pages 920–929
نویسندگان
Antonio J. Lopez-Martin, Jose M. Algueta, Coro Garcia-Alberdi, Lucia Acosta, Ramon G. Carvajal, Jaime Ramirez-Angulo,