کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541805 | 871495 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Closed-form expressions for the coupling capacitance of metal fill tiles in VLSI circuits
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A new closed-form formula for the computation of the coupling capacitance of metal tiles is presented in this work. It exploits the analytical solution of the Laplace equations of equivalent studied problems. Comparative results are given with two commercial tools employing the boundary element method (BEM) and the finite element method (FEM). The results show that the capacitance value computed by the proposed formula is in close agreement to the value obtained by the simulators.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 44, Issue 10, October 2013, Pages 953–958
Journal: Microelectronics Journal - Volume 44, Issue 10, October 2013, Pages 953–958
نویسندگان
Nikolaos A. Tsatsoulis, Yiorgos I. Bontzios, Michael G. Dimopoulos, Alkis A. Hatzopoulos,