کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541942 | 871502 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single-electron shift-register circuit
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This work presents a 4-bit shift-register designed with single-electron tunneling devices. Firstly, a single-electron D flip-flop based on NAND gates was designed and simulated. Based on D flip-flops, the shift-register architecture was also designed and successfully simulated at room temperature. Some considerations about noise margin were made. Moreover, stability analyses for the SET NAND, SET D flip-flop and SET shift-register were carried out.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 44, Issue 4, April 2013, Pages 332–338
Journal: Microelectronics Journal - Volume 44, Issue 4, April 2013, Pages 332–338
نویسندگان
Marilia de Oliveira Telles, Janaina Gonçalves Guimarães,