کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541951 | 871503 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dual approach for bipolar transistor thermal impedance determination
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper presents a dual approach for a coherent determination and validation of heterostructure bipolar transistor (HBT) thermal impedance. This study relies both on an experimental characterization method and a 3D finite element simulation approach. One section reminds briefly the experimental approach. Another describes the 3D device modeling used for the physics-based thermal simulation. Thereafter, details on the reduction method used for the numerical computation of the thermal impedance are given. As complement to pure thermal simulation, an electrothermal distributed model is proposed and gives an interpretation of the distributed effects in multi-finger devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 9, September 2010, Pages 554–559
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 9, September 2010, Pages 554–559
نویسندگان
R. Sommet, A. Xiong, A.A.L. de Souza, R. Quere,