کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542165 | 1450484 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Excitonic properties of ordered and disordered SiGe nanocrystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The excitonic properties of ordered and disordered Si/Ge nanocrystals (NCs) are investigated by means of ab initio calculations. In the former group, we investigate Si(core)/Ge(shell) and Ge(core)/Si(shell) NCs, while alloyed Si1-xGexSi1-xGex NCs are studied in the latter focusing on the role of the molar fraction x. Concerning ordered NCs, we show that Ge/Si (Si/Ge) NCs exhibit type II confinement in the conduction (valence) band. As for disordered NCs, we show that optical gaps and radiative recombination lifetimes decrease with x.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issues 4–5, April–May 2009, Pages 762–765
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issues 4–5, April–May 2009, Pages 762–765
نویسندگان
E.L. de Oliveira, E.L. Albuquerque, J.S. de Sousa, G.A. Farias,