کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
542165 1450484 2009 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Excitonic properties of ordered and disordered SiGe nanocrystals
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Excitonic properties of ordered and disordered SiGe nanocrystals
چکیده انگلیسی

The excitonic properties of ordered and disordered Si/Ge nanocrystals (NCs) are investigated by means of ab initio   calculations. In the former group, we investigate Si(core)/Ge(shell) and Ge(core)/Si(shell) NCs, while alloyed Si1-xGexSi1-xGex NCs are studied in the latter focusing on the role of the molar fraction x. Concerning ordered NCs, we show that Ge/Si (Si/Ge) NCs exhibit type II confinement in the conduction (valence) band. As for disordered NCs, we show that optical gaps and radiative recombination lifetimes decrease with x.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issues 4–5, April–May 2009, Pages 762–765
نویسندگان
, , , ,