کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542241 | 871536 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A low power CMOS compatible embedded EEPROM for passive RFID tag
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A low power CMOS compatible embedded EEPROM for passive RFID tag A low power CMOS compatible embedded EEPROM for passive RFID tag](/preview/png/542241.png)
چکیده انگلیسی
A 512-bit low-voltage CMOS-compatible EEPROM is developed and embedded into a passive RFID tag chip using 0.18 μm CMOS technology. The write voltage is halved by adopting a planar EEPROM cell structure. The wide Vth distribution of as-received memory cells is mitigated by an initial erase and further reduced by an in-situ regulated erase operation using negative feedback. Although over-programmed charges leak from the floating gates over several days, the remaining charges are retained without further loss. The 512-bit planar EEPROM occupies 0.018 mm2 and consumes 14.5 and 370 μW for read and write at 85 °C, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 10, October 2010, Pages 662–668
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 10, October 2010, Pages 662–668
نویسندگان
Kyoung-Su Lee, Jung-Hoon Chun, Kee-Won Kwon,