کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542244 | 871536 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Compact modeling of quantum effects in symmetric double-gate MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Quantum effects have been incorporated in the analytic potential model for double-gate MOSFETs. From extensive solutions to the coupled Schrodinger and Poisson equations, threshold voltage shift and inversion layer capacitance are extracted as closed form functions of silicon thickness and inversion charge density. With these modifications, the compact model is shown to reproduce C–V and I–V curves of double-gate MOSFETs consistent with those obtained from those measured from experimental FinFET hardware.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 10, October 2010, Pages 688–692
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 10, October 2010, Pages 688–692
نویسندگان
Wei Wang, Huaxin Lu, Jooyoung Song, Shih-Hsien Lo, Yuan Taur,