کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422584 | 1507924 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Time-evolution of thermal oxidation on high-index silicon surfaces: Real-time photoemission spectroscopic study with synchrotron radiation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Time-evolution of thermal oxidation on high-index silicon surfaces: Real-time photoemission spectroscopic study with synchrotron radiation Time-evolution of thermal oxidation on high-index silicon surfaces: Real-time photoemission spectroscopic study with synchrotron radiation](/preview/png/5422584.png)
چکیده انگلیسی
⺠The chemical composition of the oxide film on high-index silicon surfaces ⺠The origin of the O 1s core level shift due to the local strain ⺠The oxidation reaction rate on high-index silicon surfaces
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 606, Issues 21â22, November 2012, Pages 1685-1692
Journal: Surface Science - Volume 606, Issues 21â22, November 2012, Pages 1685-1692
نویسندگان
Shin-ya Ohno, Kei Inoue, Masahiro Morimoto, Sadanori Arae, Hiroaki Toyoshima, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Shoichi Ogata, Tetsuji Yasuda, Masatoshi Tanaka,