کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542261 | 871540 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
FGMOS based voltage-controlled resistor and its applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The paper presents floating gate MOSFET (FGMOS) based low-voltage tunable resistor operating at supply voltages of ±0.75 V. The proposed circuit is then used as basic building block to develop tunable negative resistor, current-mode divider, and variable transresistance amplifier. The circuit is simple, compact, and accurate. The total power dissipation of the proposed circuit is 18.6 μW. The circuits are simulated to demonstrate the effectiveness using SPICE in 0.5-μm CMOS technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 1, January 2010, Pages 25–32
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 1, January 2010, Pages 25–32
نویسندگان
Maneesha Gupta, Rishikesh Pandey,