کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542263 | 871540 | 2010 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design of 20 GHz high performance LC-VCOs in a 52 GHz fT SiGe:C BiCMOS technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The design and analysis of fully integrated 20 GHz voltage controlled oscillators (VCOs) for low cost and low power communication system are presented in this paper. Two differential topographies have been studied: balanced Colpitts VCO and LC-VCO using a cross-coupled differential pair. We have focused on oscillation frequency, tuning range, phase noise, output power optimization and buffer stage specifications. SiGe:C hetero-junction bipolar transistors of a 52 GHz cut-off frequency have been used and produced via a monolithic BiCMOS technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 1, January 2010, Pages 41–50
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 1, January 2010, Pages 41–50
نویسندگان
José Cruz Nunez–Perez, Jacques Verdier, Christian Gontrand,