کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542281 | 1450487 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A new SIMPLORER model for single-electron transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In the first part of this paper, we present simulations of single-electron transistor (SET) output characteristic using Maple. Typical SET I–V characteristics and charge energies curves are presented by developing Maple programs. In the second part of this work, we develop a new model without considering quantum effects using the superposition theorem, transfer function and Laplace transformer. Finally, we propose a new bloc using SIMPLORER 7.0 simulator to modulate quantum effects in the SET island. This model is based on a parallel analog–digital converter.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issues 8–9, August–September 2007, Pages 894–899
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issues 8–9, August–September 2007, Pages 894–899
نویسندگان
A. Boubaker, Na. Sghaier, M. Troudi, A. Kalboussi, N. Baboux, A. Souifi,