کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
542281 1450487 2007 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A new SIMPLORER model for single-electron transistors
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A new SIMPLORER model for single-electron transistors
چکیده انگلیسی

In the first part of this paper, we present simulations of single-electron transistor (SET) output characteristic using Maple. Typical SET I–V characteristics and charge energies curves are presented by developing Maple programs. In the second part of this work, we develop a new model without considering quantum effects using the superposition theorem, transfer function and Laplace transformer. Finally, we propose a new bloc using SIMPLORER 7.0 simulator to modulate quantum effects in the SET island. This model is based on a parallel analog–digital converter.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issues 8–9, August–September 2007, Pages 894–899
نویسندگان
, , , , , ,