| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 5422895 | 1507944 | 2011 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of wide and atomically flat graphene layers on ultraprecision-figured 4H-SiC(0001) surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Atomically flat and damage-free SiC(0001) surfaces can be produced. ⺠High-quality graphene formed on the flat and damage-free-SiC(0001) surfaces. ⺠Surface roughing factors on SiC substrates reduce the quality of graphene films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 5â6, March 2011, Pages 597-605
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 5â6, March 2011, Pages 597-605
نویسندگان
Azusa N. Hattori, Takeshi Okamoto, Shun Sadakuni, Junji Murata, Kenta Arima, Yasuhisa Sano, Ken Hattori, Hiroshi Daimon, Katsuyoshi Endo, Kazuto Yamauchi,