کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5423084 | 1507950 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
SEM/EDS study of metal-assisted oxide desorption
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Strongly-enhanced desorption of a thick (100Â nm) silicon oxide layer by the pre-sputtering of a thin germanium surface film was observed under high-temperature vacuum annealing conditions. High-resolution SEM imaging reveals that germanium nanoislands are first formed on the sample surface, and that these then act as nucleation centres for the formation of voids in the oxide, leading to a rapid desorption of the silicon oxide layer. EDS analysis of the silicon surface after oxide decomposition shows that the introduced germanium impurities are fully consumed in this desorption process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 604, Issues 17â18, 30 August 2010, Pages 1531-1535
Journal: Surface Science - Volume 604, Issues 17â18, 30 August 2010, Pages 1531-1535
نویسندگان
T. Hopf, A. Markwitz,